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ICP刻蝕的基本要求

點擊量：975 日期：2023-07-24 編輯：硅時代

（1）負載效應

刻蝕中還存在負載效應，即發(fā)生刻蝕速率變慢的情況。分為宏觀負載效應和微觀負載效應?？涛g面積很大時，因為氣體傳輸受限和刻蝕氣體耗盡，刻蝕速率會較慢，這稱為宏觀負載效應。在微細圖形的局部區(qū)域內(nèi)，被刻蝕材料的密度過高造成刻蝕氣體耗盡的情況稱為微觀負載效應。

（2）圖形保真度

設橫向刻蝕速率為V1，縱向刻蝕速率為V2，通常用A 表示刻蝕的各向異性刻蝕的程度，定義如下：

A=1，表示圖形轉(zhuǎn)移中沒有失真，刻蝕具有很好的各向異性。A=0，圖形失真情況嚴重，刻蝕為各向同性。

（3）均勻性

在材料制備時，薄膜厚度一般有一定的不均勻性，而刻蝕時同一襯底片的不同位置的刻蝕速率也不同。這些都會造成圖形轉(zhuǎn)移的不均勻。

刻蝕的均勻性在很大程度上依賴于設備的硬件參數(shù)，如反應室的設置，氣流，離子濃度等均勻性情況。其次是工藝參數(shù)的影響。

對于大襯底的刻蝕，如果刻蝕時間不夠，膜厚處沒有刻蝕完全；但是刻蝕時間太長，膜薄處會造成過刻蝕，實際情況中需要綜合考慮。也可以在被刻蝕材料的下層制備截止層，截止層選用和被刻蝕材料有很高選擇比的材料，這樣可以加長刻蝕時間，保證膜厚處被刻蝕干凈，膜薄處也不會造成明顯的過刻蝕。

除了同一樣片不同位置的均勻性問題，同一刻蝕條件不同樣片的刻蝕均勻性（也稱重復性）也很重要。重復性與反應室的狀況有很大的關聯(lián)性。

（4）表面形貌

一般情況下，刻蝕后的表面形貌都希望側(cè)壁陡直光滑，刻蝕地面平滑。但對于不同的器件有時也有特殊要求，如需傾斜剖面、微透鏡結(jié)構(gòu)等。

（5）刻蝕的清潔

刻蝕中防止玷污是非常重要的。如果在接觸孔的位置出現(xiàn)重金屬沾污也會造成漏電。對于干法刻蝕，刻蝕表面還會出現(xiàn)聚合物的再淀積。