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mems加工工藝有輻射嗎？
點(diǎn)擊量：1905 日期：2020-07-14 編輯：硅時(shí)代
MEMS加工工藝是基于襯底（玻璃襯底，石英襯底，藍(lán)寶石襯底等等）進(jìn)行的MEMS微加工工藝。根據(jù)襯底在工藝中不同的角色作用，硅微MEMS可分為表面加工和體加工兩類
表面加工是基于襯底表面進(jìn)行的微結(jié)構(gòu)制作加工，不需要對(duì)襯底進(jìn)行刻蝕加工，包括以下主要工藝：
犧牲層和結(jié)構(gòu)層的薄膜沉積技術(shù)，包括熱氧化，CVD，PVD，蒸發(fā)等常規(guī)IC工藝；
定義圖像光刻技術(shù)；
犧牲層和結(jié)構(gòu)圖形轉(zhuǎn)移的刻蝕技術(shù)，包括干法刻蝕和濕法刻蝕兩類；
犧牲層去除的釋放工藝，包括干法釋放和釋放釋放兩類
體加工則需要對(duì)襯底進(jìn)行加工，制作三維立體微結(jié)構(gòu)，除了常規(guī)薄膜沉積、光刻、刻蝕工藝外，重點(diǎn)需要對(duì)襯底加工的腐蝕工藝，如干法深硅刻蝕工藝和KOH釋放腐蝕工藝等；
正常的MEMS加工工藝是沒有輻射的，其中制作電阻材料時(shí)會(huì)用到離子注入摻雜工藝，會(huì)帶來一些輻射風(fēng)險(xiǎn)，但設(shè)備制造商會(huì)對(duì)此輻射源進(jìn)行隔離，設(shè)備正常運(yùn)作時(shí)是不會(huì)有此風(fēng)險(xiǎn)的，設(shè)備輻射源異常時(shí)則可能帶來輻射，此時(shí)就需要對(duì)設(shè)備進(jìn)行維修保養(yǎng)，以恢復(fù)設(shè)備正常狀況。
微特云辦公系統(tǒng) 微納制造 MEMS設(shè)計(jì)
